SI6404DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI6404DQ-T1-GE3
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSSOP
Pacchetto / caso	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI6404DQ	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	Dettagli
SI6404DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP	Dettagli
SI6404DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP	Dettagli
SI6405DQ	VISHAY	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET	Dettagli