SI6404DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI6404DQ-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SI6404DQ-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.6A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSSOP
Paquete / caja	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI6404DQ	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	Detalles
SI6404DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP	Detalles
SI6404DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP	Detalles
SI6405DQ	VISHAY	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET	Detalles