SI6404DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI6404DQ-T1-GE3
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-TSSOP
Paquet / cas	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SI6404DQ	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	Détails
SI6404DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP	Détails
SI6404DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP	Détails
SI6405DQ	VISHAY	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET	Détails