SI3127DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SI3127DV-T1-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3.5A (Ta), 13A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	30nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	833pF @ 20V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Упаковка / чехол	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	SI3120DY-T1-E3	VISHAY	SI3120DY-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	подробности
	SI3127DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S	подробности