SI3127DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI3127DV-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta), 13A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	833pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-TSOP
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	SI3120DY-T1-E3	VISHAY	SI3120DY-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Détails
	SI3127DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S	Détails