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SI3127DV-T1-GE3

SI3127DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SI3127DV-T1-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SI3127DV-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 151833 pcs
参考価格: USD 0.1773/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SI3127DV-T1-GE3 詳細な説明

品番	SI3127DV-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3.5A (Ta), 13A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	30nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	833pF @ 20V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	6-TSOP
パッケージ/ケース	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
重量	-
原産国	-

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