SI3127DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI3127DV-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta), 13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	833pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SI3120DY-T1-E3	VISHAY	SI3120DY-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
	SI3127DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S	Dettagli