TP65H035WSQA - Transphorm

номер части	TP65H035WSQA
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.8V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1500pF @ 400V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	187W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TP6508IQG	TORRO	TP6508IQG TORRO QFP208 New Original Stocks	подробности
TP6537FG	TOS	TP6537FG TOS SOP New Original Stocks	подробности
TP65H035WS	Transphorm	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3	подробности
TP65H035WSQA	Transphorm	GANFET N-CH 650V 47A TO247-3	подробности
TP65H050WS	Transphorm	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3	подробности