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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TP65H035WSQA
TP65H035WSQA

TP65H035WSQA - Transphorm

Artikelnummer
TP65H035WSQA
Hersteller
Transphorm
Kurze Beschreibung
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TP65H035WSQA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7565 pcs
Referenzpreis
USD 21.76/pcs
Unser Preis
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TP65H035WSQA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TP65H035WSQA
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.8V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 400V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 187W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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