TP65H035WSQA - Transphorm

Numéro d'article	TP65H035WSQA
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 400V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	187W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TP6508IQG	TORRO	TP6508IQG TORRO QFP208 New Original Stocks	Détails
TP6537FG	TOS	TP6537FG TOS SOP New Original Stocks	Détails
TP65H035WS	Transphorm	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3	Détails
TP65H035WSQA	Transphorm	GANFET N-CH 650V 47A TO247-3	Détails
TP65H050WS	Transphorm	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3	Détails