TP65H035WS Подробное описание
номер части |
TP65H035WS |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
650V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
46.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
12V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
41 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4.8V @ 1mA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
36nC @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
1500pF @ 400V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
156W (Tc) |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Through Hole |
Пакет устройств поставщика |
TO-247-3 |
Упаковка / чехол |
TO-247-3 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TP65H035WS