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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › TP65H035WS
TP65H035WS

TP65H035WS - Transphorm

Número de pieza
TP65H035WS
Fabricante
Transphorm
Breve descripción
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TP65H035WS Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
8455 pcs
Precio de referencia
USD 19.47/pcs
Nuestro precio
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TP65H035WS Descripción detallada

Número de pieza TP65H035WS
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 46.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.8V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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