MT3S20P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	MT3S20P(TE12L,F)
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	12V
Частота - переход	7GHz
Шум (дБ Тип @ f)	1.45dB @ 1GHz
Усиление	16.5dB
Мощность - макс.	1.8W
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	80mA
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-243AA
Пакет устройств поставщика	PW-MINI
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	MT3S20P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI	подробности
	MT3S20TU(TE85L)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM	подробности