• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › MT3S20P(TE12L,F)
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
MT3S20P(TE12L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MT3S20P(TE12L,F) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2500 pcs
Referenzpreis
USD 0.33/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT3S20P(TE12L,F)
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Gewinnen 16.5dB
Leistung max 1.8W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket PW-MINI
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR MT3S20P(TE12L,F)

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
MT3S20P(TE12L,F) MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI Einzelheiten
MT3S20TU(TE85L) MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM Einzelheiten