MT3S20P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	MT3S20P(TE12L,F)
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	12V
Fréquence - Transition	7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
Gain	16.5dB
Puissance - Max	1.8W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	80mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-243AA
Package de périphérique fournisseur	PW-MINI
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	MT3S20P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI	Détails
	MT3S20TU(TE85L)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM	Détails