MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
MT3S20P(TE12L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.33/pcs
Notre prix
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MT3S20P(TE12L,F) Description détaillée

Numéro d'article MT3S20P(TE12L,F)
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Gain 16.5dB
Puissance - Max 1.8W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-243AA
Package de périphérique fournisseur PW-MINI
Poids -
Pays d'origine -

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