MT3S20P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: MT3S20P(TE12L,F)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - RF
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 2500 pcs
Precio de referencia: USD 0.33/pcs
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Número de pieza	MT3S20P(TE12L,F)
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	12V
Frecuencia - Transición	7GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
Ganancia	16.5dB
Potencia - Max	1.8W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)	80mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-243AA
Paquete de dispositivo del proveedor	PW-MINI
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	MT3S20P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI	Detalles
	MT3S20TU(TE85L)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM	Detalles