HN4K03JUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	HN4K03JUTE85LF
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	100mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	8.5pF @ 3V
Vgs (Макс.)	10V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	200mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	USV
Упаковка / чехол	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	HN4K03JU	TOSHIBA	HN4K03JU TOSHIBA SOT-35.. New Original Stocks	подробности
	HN4K03JUTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 0.1A USV	подробности