HN4K03JUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	HN4K03JUTE85LF
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8.5pF @ 3V
Vgs (Max)	10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	200mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	USV
Paket / Fall	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	HN4K03JU	TOSHIBA	HN4K03JU TOSHIBA SOT-35.. New Original Stocks	Einzelheiten
	HN4K03JUTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 0.1A USV	Einzelheiten