HN4K03JUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: HN4K03JUTE85LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	HN4K03JUTE85LF
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8.5pF @ 3V
Vgs (Max)	10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	USV
Paquete / caja	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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