JANSR2N3810U - Microsemi Corporation

номер части	JANSR2N3810U
Статус детали	Active
Тип транзистора	2 PNP (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	50mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	60V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 100µA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	10µA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	150 @ 1mA, 5V
Мощность - макс.	350mW
Частота - переход	-
Рабочая Температура	-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	6-SMD, No Lead
Пакет устройств поставщика	6-SMD
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
JANS1N3595-1	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35	подробности
JANS1N3595US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200MA DO35	подробности
JANS1N4099-1	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35	подробности
JANS1N4100-1	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35	подробности
JANS1N4105UR-1	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA	подробности
JANS1N4109UR-1	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 15V 500MW DO213AA	подробности
JANS1N4118UR-1	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 27V 500MW DO213AA	подробности
JANS1N4120-1	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 30V 500MW DO35	подробности
JANS1N4125UR-1	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 47V 500MW DO213AA	подробности
JANS1N4461	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO204AL	подробности