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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › JANSR2N3810U
JANSR2N3810U

JANSR2N3810U - Microsemi Corporation

Artikelnummer
JANSR2N3810U
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
RH SMALL-SIGNAL BJT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
JANSR2N3810U PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
835 pcs
Referenzpreis
USD 197.05/pcs
Unser Preis
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JANSR2N3810U detaillierte Beschreibung

Artikelnummer JANSR2N3810U
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 100µA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Leistung max 350mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket 6-SMD
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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