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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices › JANSR2N3810U
JANSR2N3810U

JANSR2N3810U - Microsemi Corporation

Numéro d'article
JANSR2N3810U
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
RH SMALL-SIGNAL BJT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
JANSR2N3810U Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
835 pcs
Prix ​​de référence
USD 197.05/pcs
Notre prix
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JANSR2N3810U Description détaillée

Numéro d'article JANSR2N3810U
État de la pièce Active
Type de transistor 2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 100µA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Puissance - Max 350mW
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur 6-SMD
Poids -
Pays d'origine -

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