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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › JANSR2N3810U
JANSR2N3810U

JANSR2N3810U - Microsemi Corporation

Numero di parte
JANSR2N3810U
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
RH SMALL-SIGNAL BJT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
JANSR2N3810U Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
835 pcs
Prezzo di riferimento
USD 197.05/pcs
Il nostro prezzo
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JANSR2N3810U Descrizione dettagliata

Numero di parte JANSR2N3810U
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 100µA
Corrente - Limite del collettore (max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Potenza - Max 350mW
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore 6-SMD
Peso -
Paese d'origine -

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