APTGT200H60G - Microsemi Corporation

номер части	APTGT200H60G
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Full Bridge Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	290A
Мощность - макс.	625W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	12.3nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SP6
Пакет устройств поставщика	SP6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APTGF100A1202G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2	подробности
APTGF100A120T3AG	Microsemi Corporation	MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3	подробности
APTGF100A120T3WG	Microsemi Corporation	IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3	подробности
APTGF100A120TG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4	подробности
APTGF100DA120T1G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 130A 735W SP1	подробности
APTGF100DA120TG	Microsemi Corporation	IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4	подробности
APTGF100DU120TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4	подробности
APTGF100HR120G	MICROSEMI	APTGF100HR120G MICROSEMI Standa.. New Original Stocks	подробности
APTGF100SK120TG	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 135A 568W SP4	подробности
APTGF150A120T3AG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3	подробности