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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGT200H60G
APTGT200H60G

APTGT200H60G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGT200H60G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGT200H60G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
APTGT200H60G.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
270 pcs
Prezzo di riferimento
USD 100.7689/pcs
Il nostro prezzo
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APTGT200H60G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGT200H60G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 290A
Potenza - Max 625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP6
Pacchetto dispositivo fornitore SP6
Peso -
Paese d'origine -

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