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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APTGT200H60G
APTGT200H60G

APTGT200H60G - Microsemi Corporation

品番
APTGT200H60G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTGT200H60G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
APTGT200H60G.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
254 pcs
参考価格
USD 100.7689/pcs
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APTGT200H60G 詳細な説明

品番 APTGT200H60G
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Full Bridge Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 290A
電力 - 最大 625W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 1.9V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断（最大） 250µA
入力容量（Cies）@ Vce 12.3nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP6
サプライヤデバイスパッケージ SP6
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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