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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - IGBT - Módulos › APTGT200H60G
APTGT200H60G

APTGT200H60G - Microsemi Corporation

Número de pieza
APTGT200H60G
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
APTGT200H60G Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
APTGT200H60G.pdf
Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
250 pcs
Precio de referencia
USD 100.7689/pcs
Nuestro precio
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APTGT200H60G Descripción detallada

Número de pieza APTGT200H60G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Full Bridge Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 290A
Potencia - Max 625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Corriente - corte de colector (máximo) 250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP6
Paquete de dispositivo del proveedor SP6
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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