| номер части | V10P25PL1T7 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Варисторное напряжение (мин) | 35.1V |
| Варисторное напряжение (тип) | 39V |
| Варисторное напряжение (макс.) | 42.9V |
| Текущий - всплеск | 2kA |
| энергии | 25J |
| Количество схем | 1 |
| Максимальное напряжение переменного тока | 25VAC |
| Максимальное напряжение постоянного тока | 31VDC |
| Емкость @ Частота | 2900pF @ 1MHz |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | Disc 10mm |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
V10P10 | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | подробности |
 |
V10P10-E3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10-E3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10HE3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10HE3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10HM3/87A | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | подробности |
|
V10P10HM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A | подробности |
