| Artikelnummer | V10P25PL1T7 |
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| Teilstatus | Active |
| Varistorspannung (Min.) | 35.1V |
| Varistorspannung (Typ) | 39V |
| Varistorspannung (Max) | 42.9V |
| Strom - Überspannung | 2kA |
| Energie | 25J |
| Anzahl der Schaltungen | 1 |
| Maximale AC Volt | 25VAC |
| Maximale DC Volt | 31VDC |
| Kapazität @ Frequenz | 2900pF @ 1MHz |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | Disc 10mm |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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V10P10 | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | Einzelheiten |
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V10P10-E3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10-E3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10HE3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10HE3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10HM3/87A | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | Einzelheiten |
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V10P10HM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
