V10P10-E3/86A - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	V10P10-E3/86A
Статус детали	Obsolete
Тип диода	Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	100V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	680mV @ 10A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	150µA @ 100V
Емкость @ Vr, F	-
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-277, 3-PowerDFN
Пакет устройств поставщика	TO-277A (SMPC)
Рабочая температура - Соединение	-40°C ~ 150°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
V10P10	VISHAY	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	подробности
V10P10-E3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	подробности
V10P10-E3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	подробности
V10P10-M3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	подробности
V10P10-M3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	подробности
V10P10HE3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	подробности
V10P10HE3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	подробности
V10P10HM3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	подробности
V10P10HM3/87A	VISHAY	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	подробности
V10P10HM3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A	подробности