IS43DR86400E-25DBLI-TR - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS43DR86400E-25DBLI-TR
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	DRAM
Технологии	SDRAM - DDR2
Размер памяти	512Mb (64M x 8)
Частота часов	400MHz
Время цикла записи - слово, страница	15ns
Время доступа	400ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	60-TFBGA
Пакет устройств поставщика	60-TWBGA (8x10.5)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS43DR86400C-25DBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	подробности
IS43DR86400C-25DBL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	подробности
IS43DR86400C-25DBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	подробности
IS43DR86400C-25DBLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	подробности
IS43DR86400C-3DBI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	подробности
IS43DR86400C-3DBI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	подробности
IS43DR86400C-3DBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	подробности
IS43DR86400C-3DBL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	подробности
IS43DR86400C-3DBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	подробности
IS43DR86400C-3DBLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	подробности