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IS43DR86400E-25DBLI-TR

IS43DR86400E-25DBLI-TR - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品番: IS43DR86400E-25DBLI-TR
メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
簡単な説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IS43DR86400E-25DBLI-TR PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: メモリ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 36205 pcs
参考価格: USD 5.05623/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IS43DR86400E-25DBLI-TR 詳細な説明

品番	IS43DR86400E-25DBLI-TR
部品ステータス	Active
メモリの種類	Volatile
メモリフォーマット	DRAM
技術	SDRAM - DDR2
メモリー容量	512Mb (64M x 8)
クロック周波数	400MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	15ns
アクセス時間	400ns
メモリインターフェイス	Parallel
電圧 - 供給	1.7V ~ 1.9V
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	60-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ	60-TWBGA (8x10.5)
重量	-
原産国	-

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