IS43DR86400E-25DBLI-TR - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Numero di parte: IS43DR86400E-25DBLI-TR
fabbricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Breve descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Memoria
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Codice data: New
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Numero di parte	IS43DR86400E-25DBLI-TR
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria	512Mb (64M x 8)
Frequenza di clock	400MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	15ns
Tempo di accesso	400ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	60-TWBGA (8x10.5)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IS43DR86400C-25DBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	Dettagli
IS43DR86400C-25DBL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	Dettagli
IS43DR86400C-25DBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	Dettagli
IS43DR86400C-25DBLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	Dettagli
IS43DR86400C-3DBI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Dettagli
IS43DR86400C-3DBI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Dettagli
IS43DR86400C-3DBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Dettagli
IS43DR86400C-3DBL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Dettagli
IS43DR86400C-3DBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Dettagli
IS43DR86400C-3DBLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Dettagli