IS43DR86400E-25DBLI-TR - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Artikelnummer	IS43DR86400E-25DBLI-TR
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - DDR2
Speichergröße	512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz	400MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	15ns
Zugriffszeit	400ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	60-TFBGA
Lieferantengerätepaket	60-TWBGA (8x10.5)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IS43DR86400C-25DBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	Einzelheiten
IS43DR86400C-25DBL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	Einzelheiten
IS43DR86400C-25DBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	Einzelheiten
IS43DR86400C-25DBLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA	Einzelheiten
IS43DR86400C-3DBI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Einzelheiten
IS43DR86400C-3DBI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Einzelheiten
IS43DR86400C-3DBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Einzelheiten
IS43DR86400C-3DBL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Einzelheiten
IS43DR86400C-3DBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Einzelheiten
IS43DR86400C-3DBLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA	Einzelheiten