| номер части | IPD031N06L3 G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 13000pF @ 30V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 167W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD031N03LG | INFINEON | IPD031N03LG INFINEON TO252-.. New Original Stocks | подробности |
|
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | подробности |
|
IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | подробности |
|
IPD031N03M G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | подробности |
|
IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | подробности |
|
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | подробности |
 |
IPD033N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | подробности |
|
IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | подробности |
|
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | подробности |
|
IPD035N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | подробности |
