| Artikelnummer | IPD031N06L3 G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 167W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD031N03LG | INFINEON | IPD031N03LG INFINEON TO252-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD031N03M G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | Einzelheiten |
 |
IPD033N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | Einzelheiten |
|
IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD035N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Einzelheiten |
