| 부품 번호 | IPD031N06L3 G |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 93µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 13000pF @ 30V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 167W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO252-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IPD031N03LG | INFINEON | IPD031N03LG INFINEON TO252-.. New Original Stocks | 세부 |
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IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 세부 |
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IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 세부 |
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IPD031N03M G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 세부 |
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IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | 세부 |
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IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | 세부 |
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IPD033N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | 세부 |
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IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | 세부 |
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IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | 세부 |
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IPD035N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | 세부 |
