IPD031N03LGBTMA1 - Infineon Technologies

номер части	IPD031N03LGBTMA1
Статус детали	Not For New Designs
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	51nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	5300pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	94W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPD031N03LG	INFINEON	IPD031N03LG INFINEON TO252-.. New Original Stocks	подробности
IPD031N03LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3	подробности
IPD031N03LGBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3	подробности
IPD031N03M G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3	подробности
IPD031N06L3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3	подробности
IPD031N06L3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3	подробности