IPD031N03LGBTMA1

IPD031N03LGBTMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPD031N03LGBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
51932 pcs
Precio de referencia
USD 0.5096/pcs
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IPD031N03LGBTMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPD031N03LGBTMA1
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 90A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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