FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1 - Infineon Technologies

номер части
FZ800R12KS4B2NOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MODULE IGBT A-IHM130-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
FZ800R12KS4B2NOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
150 pcs
Справочная цена
USD 1092.975/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1 Подробное описание

номер части FZ800R12KS4B2NOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 1200A
Мощность - макс. 7600W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 800A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 52nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ FZ800R12KS4B2NOSA1