FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FZ800R12KS4B2NOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MODULE IGBT A-IHM130-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FZ800R12KS4B2NOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
150 pcs
Referenzpreis
USD 1092.975/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FZ800R12KS4B2NOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1200A
Leistung max 7600W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 800A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 52nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR FZ800R12KS4B2NOSA1