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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FZ800R12KS4B2NOSA1
FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1 - Infineon Technologies

品番
FZ800R12KS4B2NOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MODULE IGBT A-IHM130-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FZ800R12KS4B2NOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
150 pcs
参考価格
USD 1092.975/pcs
私達の価格
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FZ800R12KS4B2NOSA1 詳細な説明

品番 FZ800R12KS4B2NOSA1
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ -
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 1200A
電力 - 最大 7600W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 3.7V @ 15V, 800A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 52nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 125°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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