BSZ067N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части	BSZ067N06LS3GATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	14A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	5100pF @ 30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Упаковка / чехол	8-PowerVDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSZ067N06LS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8	подробности
BSZ067N06LS3G	INFINEON	BSZ067N06LS3G INFINEON QFN New Original Stocks	подробности
BSZ067N06LS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8	подробности