BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
BSZ067N06LS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
BSZ067N06LS3GATMA1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
319815 pcs
Precio de referencia
USD 0.51483/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1 Descripción detallada

Número de pieza BSZ067N06LS3GATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 35µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / caja 8-PowerVDFN
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA BSZ067N06LS3GATMA1