BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSZ067N06LS3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
319815 pcs
Referenzpreis
USD 0.51483/pcs
Unser Preis
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BSZ067N06LS3GATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSZ067N06LS3GATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 35µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TSDSON-8
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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