BSM35GB120DN2HOSA1

BSM35GB120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

номер части
BSM35GB120DN2HOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSM35GB120DN2HOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
2477 pcs
Справочная цена
USD 66.419/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSM35GB120DN2HOSA1

BSM35GB120DN2HOSA1 Подробное описание

номер части BSM35GB120DN2HOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 50A
Мощность - макс. 280W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSM35GB120DN2HOSA1