| 부품 번호 | BSM35GB120DN2HOSA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Not For New Designs |
| IGBT 형 | - |
| 구성 | Half Bridge |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 50A |
| 전력 - 최대 | 280W |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 1mA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | No |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급 업체 장치 패키지 | Module |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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BSM35GB120DLC | EUPEC | vorlafige Daten preliminary data | 세부 |
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BSM35GB120DN2 | EUPEC | BSM35GB120DN2 EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks | 세부 |
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BSM35GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 34MM-1 | 세부 |
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BSM35GD120DLC | EUPEC | IGBT-Module Maximum rated values | 세부 |
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BSM35GD120DLCE3224BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 | 세부 |
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BSM35GD120DN2 | Infineon Technologies | IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 | 세부 |
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BSM35GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 | 세부 |
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BSM35GP120 | INFINEON | BSM35GP120 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks | 세부 |
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BSM35GP120BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 35A | 세부 |
|
BSM35GP120GBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3 | 세부 |
