BSM35GB120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: BSM35GB120DN2HOSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - IGBT - Moduli
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 66.419/pcs
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Numero di parte	BSM35GB120DN2HOSA1
Stato parte	Not For New Designs
Tipo IGBT	-
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	50A
Potenza - Max	280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max)	1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	2nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSM35GB120DLC	EUPEC	vorlafige Daten preliminary data	Dettagli
BSM35GB120DN2	EUPEC	BSM35GB120DN2 EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
BSM35GB120DN2HOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 34MM-1	Dettagli
BSM35GD120DLC	EUPEC	IGBT-Module Maximum rated values	Dettagli
BSM35GD120DLCE3224BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2	Dettagli
BSM35GD120DN2	Infineon Technologies	IGBT BSM35GD120DN2BOSA1	Dettagli
BSM35GD120DN2E3224BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2	Dettagli
BSM35GP120	INFINEON	BSM35GP120 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
BSM35GP120BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1200V 35A	Dettagli
BSM35GP120GBOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3	Dettagli