BSM35GD120DN2 - Infineon Technologies

номер части	BSM35GD120DN2
Статус детали	Obsolete
Тип IGBT	NPT
конфигурация	Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	50A
Мощность - макс.	280W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	-
Входная емкость (Cies) @ Vce	2nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSM35GB120DLC	EUPEC	vorlafige Daten preliminary data	подробности
BSM35GB120DN2	EUPEC	BSM35GB120DN2 EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
BSM35GB120DN2HOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 34MM-1	подробности
BSM35GD120DLC	EUPEC	IGBT-Module Maximum rated values	подробности
BSM35GD120DLCE3224BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2	подробности
BSM35GD120DN2	Infineon Technologies	IGBT BSM35GD120DN2BOSA1	подробности
BSM35GD120DN2E3224BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2	подробности
BSM35GP120	INFINEON	BSM35GP120 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
BSM35GP120BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1200V 35A	подробности
BSM35GP120GBOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3	подробности