BFR193E6327HTSA1 - Infineon Technologies

номер части	BFR193E6327HTSA1
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	12V
Частота - переход	8GHz
Шум (дБ Тип @ f)	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Усиление	10dB ~ 15dB
Мощность - макс.	580mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	70 @ 30mA, 8V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	80mA
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BFR193	Infineon	BFR193 Infineon SOT-23 New Original Stocks	подробности
BFR193E6327	INFINEON	BFR193E6327 INFINEON SOT-23 New Original Stocks	подробности
BFR193E6327HTSA1	Infineon Technologies	RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3	подробности
BFR193F	Infineon	BFR193F Infineon SOT323 New Original Stocks	подробности
BFR193FH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANS RF NPN 12V 80MA TSFP-3	подробности
BFR193L3E6327	INFINEON	BFR193L3E6327 INFINEON TSLP-3.. New Original Stocks	подробности
BFR193L3E6327XTMA1	Infineon Technologies	RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1	подробности
BFR193T	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности
BFR193TE	INFINEON	BFR193TE INFINEON SOT-23 New Original Stocks	подробности
BFR193TF	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности